삼성전자가 인공지능(AI) 반도체 산업 판도를 좌우할 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 양산 출하를 세계 최초로 시작했다. 이전 세대 HBM 경쟁에서 SK하이닉스에 밀려났던 삼성전자가 HBM4 첫 양산 출하를 통해 HBM4 공급 시장 선점에 나섰다.

삼성전자는 12일 업계 최고 성능을 갖춘 HBM4를 양산 출하했다고 밝혔다. 당초 설 연휴 이후인 2월 셋째주로 예정됐던 양산 출하 일정을 1주일 가량 앞당긴 것이다.

삼성전자가 이날 양산 출하한 HBM4는 업계 최선단인 1c D램(10나노급 6세대)과 파운드리 4나노 공정을 HBM 두뇌 역할을 하는 베이스 다이에 적용해 재설계 없이 안정적인 수율과 성능을 확보한 게 특징이다. 이를 통해 성능과 전력 효율을 고도화하는 동시에 양산 초기부터 안정적인 수율을 달성했다고 삼성전자는 설명했다.

특히 HBM4의 데이터 처리 속도는 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gps(초당 기가비트)보다 약 46% 빠른 11.7Gbps로, 최대 13Gbps까지도 구현이 가능하다고 밝혔다. 삼성전자는 “AI모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다”고 말했다.

또한 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭의 경우, 5세대 제품(HBM3E) 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s(초당 테라바이트) 수준으로 끌어올렸다. 용량의 경우 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB에 이른다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 충분한 성능 확장 여력을 확보함으로써 고객의 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 말했다.

이번 HBM4에는 데이터센터 가동 시 발생하는 전력 소모나 발열 문제를 해결하기 위해 에너지 효율을 높이는 설계 기술도 활용됐다.

삼성전자는 HBM4 세계 최초 양산 출하에 힘입어 올해 HBM 매출이 전년 대비 3배 이상 늘어날 것으로 예상했다. 삼성전자는 “세계에서 유일하게 로직, 메모리, 파운드리, 패키징 등을 아우르는 ‘원스톱 솔루션’을 제공할 수 있는 회사”라며 “HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있다”고 밝혔다.

삼성전자는 올 하반기부터 순차적으로 차세대 HBM 제품도 출시할 계획이다. 삼성전자는 “HBM4E는 2026년 하반기에 샘플 출하할 계획”이라며 “커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정”이라고 밝혔다.