삼성전자가 현재 양산·공급하는 고대역폭메모리(HBM)보다 성능을 고도화한 신제품 모형을 처음으로 공개하며 인공지능(AI) 메모리 시장에서 기술 ‘초격차’를 추구하겠다는 의지를 드러냈다.

삼성전자는 2일 대만 타이베이에서 열린 아시아 최대 IT 박람회 ‘컴퓨텍스 2026’ 전시장에서 8세대 HBM(HBM5) 실물모형(mock-up)을 공개했다. 목업 공개는 HBM5 제품 개발이 거의 완성 단계에 접어들었다는 의미로 풀이된다.

삼성전자 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 “급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리, 파운드리, 로직, 패키징까지 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다”면서 “특히 AI 시스템이 초고성능·초고집적 구조로 진화하면서 단순 메모리 성능뿐 아니라 데이터 처리 효율과 열관리 기술까지 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다”고 말했다.

특히 HBM5 등 차세대 HBM에서 핵심 기술로 꼽히는 열 관리 기술 HPB(Heat Path Block)에 대해서도 설명했다. HPB는 AI 메모리 성능 고도화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 열을 보다 효율적으로 분산·방출하게끔 한다.

송 사장은 HBM4E(7세대) 제품에서 이 같은 열관리 기술 검증을 마쳤고, HBM5에선 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높였다고 설명했다. HBM5에는 2나노 베이스 다이 공정도 선제적으로 적용된다. 송 사장은 “엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획”이라고 말했다.

SK하이닉스도 컴퓨텍스 2026 행사장에 마련한 전시 부스에서 차세대 AI 메모리 설루션을 소개했다. 엔비디아와의 파트너십을 보여주기 위해 엔비디아의 슈퍼컴퓨터 DGX 스파크(DGX Spark)에 탑재되는 LPDDR5X를 전시하며 초고속 연산이 요구되는 AI 환경에서의 적합성을 강조했다. 또한 6세대·7세대 HBM(HBM4·HBM4E)을 비롯해 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정 기술을 적용한 RDIMM 등 서버용 D램, 낸드를 수직 적층하는 차세대 메모리 고대역폭플래시(HBF) 등도 전시했다.

SK하이닉스는 “주요 파트너들과 함께 AI 기술의 미래를 그려가는 SK하이닉스의 기술 리더십을 선보였고, 주요 AI 메모리 제품과 차세대 기술 비전을 폭넓게 알렸다”면서 “앞으로도 변화하는 AI 트렌드에 민감하게 대응해 나가면서 글로벌 메모리 시장을 선도해 나가겠다”고 밝혔다.