삼성전자 9세대 V낸드. 삼성전자 제공
삼성전자가 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC 9세대 V낸드플래시(낸드)’ 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.
9세대 V낸드는 삼성전자가 2022년부터 양산을 시작한 주력 제품인 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 차세대 제품이다. 삼성전자는 업계 최소 크기의 셀(최소 저장 단위)을 구현해 9세대 V낸드의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다고 밝혔다.
아울러 셀의 평면적도 줄였으며, 셀 간섭 회피 기술과 셀 수명 연장 기술도 적용했다.
삼성전자의 9세대 V낸드는 ‘더블 스택’ 구조로 구현할 수 있는 최고 단수의 제품이다. 쌓아올린 단수는 290단 안팎인 것으로 알려졌다. 기존 제품인 8세대 낸드는 236단이다.
낸드는 전원이 끊긴 이후에도 각종 데이터가 남아있는 비휘발성 반도체다. 반도체 셀을 수직으로 쌓아 올려 저장공간을 늘리는 적층 기술이 핵심으로 꼽힌다. 더블 스택은 낸드를 두 번에 나눠서 만든 뒤 한 개 칩으로 결합하는 방식이다. 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 웨스턴디지털 등 낸드 업계는 셀 단수를 늘리는 적층 경쟁을 벌이고 있다.
9세대 낸드에는 ‘채널홀 에칭’ 기술도 쓰였다. 전기가 통하는 ‘몰드 층’을 순차적으로 쌓은 뒤 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 단 한번에 뚫어 내는 기술로, 이를 통해 생산 효율화를 이뤄냈다는 설명이다.
9세대 낸드는 데이터 입·출력 속도가 8세대 대비 33% 향상됐다. 소비 전력도 약 10% 개선됐다. 삼성전자는 “환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것”이라고 밝혔다.
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